晶闸管、可关断晶闸管、电力晶体管、电力MOS管、绝缘栅双极型晶体管
scr。可控器件中，SCR是容量最大，其次是gto，工作频率最高的是电力MOSFET。容量常指一个物体的容积的大小，容量的公制单位是升。容量也指物体或者空间所能够容纳的单位物体的数量。
Gate控制：GTO具有额外的门电极，通常称为GATE。这个门电极允许外部电路控制晶闸管的关断，而SCR没有这个门电极。通过施加适当的电压脉冲到GATE，可以将GTO关断。 负阻特性：GTO具有负阻特性，这意味着一旦开始通电，它可以通过适当的GATE控制信号关闭。
晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，具有多种不同类型，其中最常见的晶闸管类型包括： 普通晶闸管（SCR）：普通晶闸管是最基本的晶闸管类型，也被称为整流晶闸管。它具有三层结构（PNP或NPN）和一个控制极。SCR主要用于将交流电转换为直流电，通常用于整流电源和电机控制。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和状态。所以，在可关断晶闸管的门极上加负向触发信号后，通态电流开始下降，使管子不能维持内部电流的正反馈。此过程经过一定时间后，GTO即可关断。
电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
晶闸管、可关断晶闸管、电力晶体管、电力MOS管、绝缘栅双极型晶体管
当前主流的电力电子器件包括：SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO（可关断晶闸管）、MOSFET（功率场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和IGCT（换流关断晶闸管）。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高。
MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：结合了GTR和MOSFET的优点，同样具有电导调制效应和强大的通流能力。然而，其开关速度较慢，所需驱动功率较大，驱动电路也较为复杂。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
GTO能够自关断，而普通晶闸管不能的原因：尽管GTO与普通单向晶闸管的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和状态。
总之，GTO相对于普通的SCR具有更多的控制性能，使得它可以在需要时自关断。这种特性使得GTO在需要频繁开关和控制电流的高功率应用中非常有用，例如电力电子、交流传动系统等。
在GTO中，引入了一个额外的关断极（C2），使得在关断时可以通过控制极（G）施加一个负向脉冲，使C2极的电压增加，从而导致GTO自动关断。这种设计使得GTO具有主动关断的能力。而普通晶闸管只有控制极（G）和主极（A），没有关断极（C2），无法实现自关断。
设计和工艺方面不同。GTO在设计时，α2大，这样晶体管V2控制灵敏，使GTO易于关断，GTO能够自行关断，普通晶闸管不能。
这样GTO导通时饱和程度不深，更接近与临界饱和，为门极可关断控制提供了有力条件。不利因素，导通是管压降增大了。3）集成结构中每个GTO单元的阴极面积小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2基区的横向电阻很小，使门极抽出较大的电流成为可能。4）它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。
GTO是由很多个小SCR集成起来的，GTO每个微元都是微饱和状态，很容易退出饱和。
晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，具有多种不同类型，其中最常见的晶闸管类型包括： 普通晶闸管（SCR）：普通晶闸管是最基本的晶闸管类型，也被称为整流晶闸管。它具有三层结构（PNP或NPN）和一个控制极。SCR主要用于将交流电转换为直流电，通常用于整流电源和电机控制。
金属封装晶闸管 塑料封装晶闸管 按断态电压不同分类的晶闸管型号 KT系列普通晶闸管。在断态时耐压较高。若加上较小的门极电压时，能安全地从阻断状态转变到通导状态。KBY系列双向晶闸管适用于控制电路及交直流电机调速系统，具有高耐压和大电流的特性。适用于不同的电路和控制系统。
常用的晶闸管类型有以下两大类： 普通型单向导通的晶闸管。该类型的晶闸管工作时，必须由正脉冲信号触发。 普通型双向导通的晶闸管。该类型的晶闸管的显著特点是可以正、负脉冲信号触发。
晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示。
晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管有四层半导体，三个极，相当于双晶体三极管模型。因此是双极型。
这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和状态。所以，在可关断晶闸管的门极上加负向触发信号后，通态电流开始下降，使管子不能维持内部电流的正反馈。此过程经过一定时间后，GTO即可关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：1) GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3？15，而GTO 则为1 a + 2 a ？05。
门极可关断晶闸管（GTO）是一种晶闸管的衍生器件，具有全控性，能够在门极施加负脉冲后实现关断。与普通晶闸管相同，GTO也由PNPN四层结构构成，并拥有阳极、阴极及门极三个引脚。GTO与普通晶闸管具有相似的工作条件，并且广泛应用于兆瓦级以上的高功率场合。
GTO可以通过门极控制来关断，而晶闸管的关断需要阴极和阳极之间的电压差降低到使电流到IH以下关断，门极不能控制随时关断。关断条件不同。
其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
这些器件各自适用于不同的场合，例如，SCR和双向SCR常用于电力调节和控制系统中，GTR和MOSFET适用于高速开关应用，而IGBT和GTO则用于中大功率转换和控制领域。MOSFET的特点在于其高速度和简单的控制要求。作为一种中小容量的压控型器件，MOSFET易于驱动，并且能够在100kHz至数兆赫兹的频率下工作。
晶闸管按照关断、导通及控制方式可以分为普通晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导晶闸管（RCT）、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管（TT国外，TTS国内）和光控晶闸管（LTT）等。按照引脚和极性分类，晶闸管可以分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
scr。可控器件中，SCR是容量最大，其次是gto，工作频率最高的是电力MOSFET。容量常指一个物体的容积的大小，容量的公制单位是升。容量也指物体或者空间所能够容纳的单位物体的数量。
SCR家族的优势在于其电流容量大、效率高、可控性强，能够承受较高的电压和电流。特别是在高温、高电磁干扰、高功率等恶劣工作条件下，SCR家族的性能表现更加突出，因此备受市场的青睐。未来，随着电子科技的不断进步和需求不断增长，SCR家族将在电力控制领域得到更加广泛的应用和发展。
