MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低。
第一章绪论第一节电力电子技术回顾第二节电力电子器件第三节电力电子电路第四节电力电子技术展望第二章整流二极管第一节普通硅整流管第二节快速恢复二极管第三节功率肖特基二极管第三章电力晶体管第一节工作原理第二节静态特性与参数第三节动态特性与参数第四节二次击穿与安全工作区第五节基极驱动电路第。
可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管，是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通，门极加负脉冲信号触发管子关断，因而属于全控型器件。
不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO。
GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过GTR，只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的；道理上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的；是的，对于全控器件（MOS IGBT GTR），它们导通时，为了维持导通，需要施加一定的门极（栅极）电压。而对于晶闸管，只要确定它导通，门极信号是可以取消的。
GTR（电力晶体管）：能够承受较高的电压，电流容量较大，开关特性优良。 MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号，可以设置相应的占空比，如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50，脉冲宽度为窄脉冲，为电源周期的5%，脉冲幅值可以取为5~10V，如果设置触发延迟角α为45度，只需将相位延迟参数设置为5ms，可以根据需要自己设置触发角，不同的电路可能还要设置相应的死区时间。
IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
GTO可以通过门极控制来关断，而晶闸管的关断需要阴极和阳极之间的电压差降低到使电流到IH以下关断，门极不能控制随时关断。关断条件不同。
这个只能比较大多数情况， IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。
晶闸管是一种大功率的整流元件，它的整流电压可以控制，当供给整流电路的交流电压一定时，输出电压能够均匀调节，它是一个四层三端的半导体器件。在整流电路中，晶闸管在承受正向电压的时间内，改变触发脉冲的输入时刻，即改变控制角的大小，在负载上可得到不同数值的直流电压，因而控制了输出电压的大小。
- 类型：GTO 是一种双向可控硅器件。- 特点：可以通过在控制极（Gate）上施加适当的脉冲来关闭器件。这与传统的晶闸管（Thyristor）不同，后者一旦导通就无法关闭。 GTR（Gate Turn-Off Rectifier）- 类型：GTR 是一种双向可控整流器。
触发导通）—L—触发GTO C1放电—R2—V2—L—GTO 反向关断：C4放电 —关断GTO—门级—L—V3 剩下三种推到 类似...2 GTR： 图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路 3 MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。
赛车），A代表All Wheel Drive（4轮驱动），S代表Sport（运动），I代表Injection（电喷），C代表Convertible（敞篷），B代表Berlinetta（好像是硬顶的意思）。
gtr开关时间在几微秒以内，比晶闸管和gto都长很多。GTO是门极可关断晶闸管的简称，他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断，属于全控型器件。门极可关断晶闸管是一种具有自关断能力和晶闸管特性的晶闸管。如果在阳极加正向电压时，门极加上正向触发电流，GTO就导通。
GTR是一种赛车型号标准。
MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
GTR（电力晶体管）：能够承受较高的电压，电流容量较大，开关特性优良。 MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
第一个介绍的就是材料科学，我的好哥们就是材料科学的一名学生，这个学科真的非常的不错，主要是研究一些新型的分子材料。在未来的发展前景，工资待遇都是比较不错的。
晶闸管包括GTO是有二次击穿的问题。晶闸管串联时，并联电阻由于半导体器件非线性和参数离散性，所以起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用。
寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。GTR是双极性器件，在导通时施加反压可能导致截止，也不利于安全运行；除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。
这本书是由王兴贵等编著的，它是中国电力出版社出版的一部重要的高等学校规划教材。书名是现代电力电子技术，其ISBN号为9787512307179。该教材于2010年8月1日首次发行，是第一版，内容丰富且实用。全书共有201页，采用平装形式，开本为16开，非常适合学习者查阅和学习。
现代电力电子技术图书目录 第1章，深入探讨电力电子的基石——电力二极管和晶闸管：1电力二极管： 全面了解其基本工作原理和应用。2晶闸管及其派生器件： 介绍其功能扩展及其在电路中的角色。3晶闸管触发电路： 描述其触发控制的关键技术。
国家电网公司生产的生产技能人员职业能力培训通用教材《电力电子技术》提供了详尽的课程内容，旨在提升电力电子领域的专业技能。该教材分为七个主要章节，每个章节都针对电力电子技术的核心知识点进行了深入讲解。
第1卷《现代电气工程基础》由梁曦东、邱爱慈、孙才新、雷清泉和陆宠惠共同编著，由中国电力出版社出版，出版时间为不详，16开本，定价2300元。该卷为电气工程的基础理论篇。
第一章绪论第一节电力电子技术回顾第二节电力电子器件第三节电力电子电路第四节电力电子技术展望第二章整流二极管第一节普通硅整流管第二节快速恢复二极管第三节功率肖特基二极管第三章电力晶体管第一节工作原理第二节静态特性与参数第三节动态特性与参数第四节二次击穿与安全工作区第五节基极驱动电路第。
直流变压器的安装与调试 67任务1 研究直流斩波电路的性能 67任务2 认识复合斩波电路和多相多重斩波电路 75项目5 交流调压电路——晶闸管交流调压器的 83任务1 晶闸管交流调压器 83任务2 认识交-交变频电路 96项目6 PWM控制技术——变频器的安装与调试 102任务1 简单的变频器 102任务2 。
