1. 当n沟道耗尽型MOS管的栅极电压大于或等于阈值电压时，管子已经导通。
2. MOS管的导通与栅极电压和阈值电压有关，当栅极电压大于或等于阈值电压时，沟道中的电子会被吸引到栅极附近，形成一个导电通道，从而使得管子导通。
3. 对于n沟道耗尽型MOS管，其阈值电压为负值，通常在-1V到-3V之间，当栅极电压大于或等于阈值电压时，管子已经导通。
n沟道耗尽型mos管什么已经导通
当N沟道耗尽型MOS管（N-channel depletion mode MOSFET）的栅极电压小于或等于截止电压时，MOS管会导通。在这种情况下，MOS管的沟道中已经存在足够的电子，以使电流从源极流向漏极。
因此，N沟道耗尽型MOS管在栅极电压小于或等于截止电压时，相当于一个开关，可以将电路连接或断开。需要注意的是，N沟道耗尽型MOS管的截止电压是负数，通常在数据手册中标注为Vp或Vgs(off)。
n沟道耗尽型mos管什么已经导通
N沟道耗尽型功率MOSFET的输出特性
导通状态漏极电流ID（on）是数据手册中定义的参数，是当栅极至源极之间以特定的漏极至源极电压（VDS）在漏极与源极之间流动的电流电压（VGS）为零（或短路）。