场效应管06130ND参数

场效应管（FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。06130ND是一种N沟道MOSFET型号，其主要参数如下：

最大漏极-源极电压（VDS）：60V

最大栅极-源极电压（VGS）：±20V

连续漏极电流（ID）：12A

最大功率耗散（PD）：2.5W

栅极静态电荷（Qg）：22nC

漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：0.025Ω
这些参数描述了06130ND的主要电学特性，可以帮助工程师选择合适的场效应管来满足特定的电路需求。

场效应管06130ND参数

场效应管06130ND的参数有以下几种参数：

开启电压UT （MOSFET)、夹断电压UP （JFET）、饱和漏极电流IDSS （JFET）、直流输入电阻RGS、跨导Gm和最大漏极功耗。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。