3AD55C
【用途】 低频大功率管 【性能 参数】 锗 PNP 30V 5A 20W 3MHz β≥20 【互换 兼容】 【用途】 低频大功率管【性能 参数】 锗PNP 30V 5A 20W 3MHz β≥20 【互换 兼容】
3AD50功率10W，电流3A，电压C档30V。（M档12V，A档18V，B档24V）
3ad55c参数
3ad55c是一种芯片,具体参数可能因不同的应用而有所不同。以下是一些可能适用于该芯片的一般参数:
- 芯片制造商:中国华力微电子
- 芯片型号:3ad55c
- 芯片架构:64位ARM微控制器
- 时钟频率:1.25 GHz
- 内存带宽:128GB/s
- 功耗:5瓦
- 集成能力:支持各种物联网应用,包括智能家居、智能手表、智能眼镜等。
需要注意的是,这些参数只是一般性介绍,具体的参数可能会因不同的应用和设计需求而有所不同。
3ad55c参数
整机工作重量(kg):5780
铲斗容量(方):0.21
原产地:苏州
性能
回转速度(rpm):9.6
行走速度(Km/h):4.06/2.75
爬坡能力(%):70
接地比压(Kpa):32.75
铲斗挖掘力(kN):45
斗杆挖掘力(kN):33
3ad55c参数
3ad55c的参数PCN=10WIcm3AVcbo70v.Hfe20-140Ft4KHZ 如果替代，必须考虑硅、锗晶体管的基极电压差别，可能得改电路。 锗三极管在现代设计当中常常被场效应管替代，以增加信号稳定性，减少噪音。
3ad55c参数
2 3AD55C 锗 PNP 20W 5A 30V 3KHz β ≥20 封装 F-2