EUV（Extreme Ultraviolet Lithography）光刻机和浸润光刻机是两种不同的光刻技术，它们有以下区别：
- 光源：EUV 光刻机使用的是极紫外线光源，而浸润光刻机使用的是深紫外光源。EUV 光源的波长更短，因此可以实现更高的分辨率。
- 光刻胶：EUV 光刻机使用的是特殊的 EUV 光刻胶，而浸润光刻机使用的是传统的光刻胶。EUV 光刻胶需要能够承受 EUV 光的高能量和短波长，因此需要更高的技术要求。
- 设备成本：EUV 光刻机的设备成本非常高，需要数亿美元的投资。而浸润光刻机的设备成本相对较低，只需要数千万美元的投资。
- 生产效率：EUV 光刻机的生产效率相对较低，因为 EUV 光源的能量较低，需要多次曝光才能完成一个芯片的制造。而浸润光刻机的生产效率较高，因为深紫外光源的能量较高，可以一次曝光完成一个芯片的制造。
总的来说，EUV 光刻机和浸润光刻机各有优劣，适用于不同的生产场景。EUV 光刻机的分辨率更高，可以制造更先进的芯片，但是设备成本和生产效率较低。浸润光刻机的设备成本和生产效率较高，但是分辨率较低，适用于制造一些相对较落后的芯片。