gs4b60kd1参数

你好，gs4b60kd1是一种型号的电容器。
具体的参数包括：
- 电容器容量为 4 微法。
- 电压容限为 60 伏特。
- 稳定性等级为 class 1。
- 电容器尺寸为 D：10mm，H：12mm。
这种型号的电容器在电子电路中常用于储存电荷和控制信号流动的方向等。

gs4b60kd1参数

gs4b60kd1是一款电路保护器件，其参数包括最大工作电压、最大耐受电流、最大电源电压、最大发热功率等等。这些参数直接影响着保护器件的工作性能和可靠性。比如，最大耐受电流是指保护器件所能承受的最大电流值，超过这个值会导致保护器件损坏，因此在应用中需要根据实际电路电流选择合适的保护器件。同时，最大工作电压、最大电源电压等参数也需要注意，以确保保护器件在电路工作时能够稳定工作，有效保护电路。

gs4b60kd1参数

你好！GS4B60KD1 是一款高速软起动器电容器，具有以下特点：
首先是体积小，能够在非常狭小的空间内使用。其次是充电速度快，工作效率高。此外，这款电容器还具有超长使用寿命，能够在各种恶劣环境中长时间使用而不影响质量。
它的具体参数为：额定电容量为 60 kvar，额定电压为 480 V 交流，额定电流为 72 A。
需要注意的是，选型时要根据实际负载情况、环境温度等因素综合考虑，才能选到最合适的电容器，避免出现过度或过低选配的情况。

gs4b60kd1参数

品牌： Infineon/英飞凌

型号： IRGS4B60KD1TRRP

批号：

封装： TO-263

数量： 1000

QQ： 3008817217

描述： IGBT 600V 11A 63W D2PAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）： 1（无限）

详细描述： IGBT-NPT-600V-11A-63W-表面贴装型-D2PAK

数据列表： IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF;

标准包装： 800

包装： 标准卷带

零件状态： 最後搶購

类别： 分立半导体产品

产品族： 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

系列： -

其它名称： SP001534000

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 11A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 22A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.5V @ 15V，4A

功率 - 最大值： 63W

开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 12nC

25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns

测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）： 93ns

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK